固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。以满足各种应用和作环境的特定需求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以创建定制的 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。还需要散热和足够的气流。如果负载是感性的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。涵盖白色家电、模块化部分和接收器或解调器部分。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。可用于创建自定义 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，工业过程控制、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，该技术与标准CMOS处理兼容，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

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